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硬X射線光電子能譜(HAXPES)技術與應用
發布時間:2019-01-31  |  【打印】 【關閉

 一、HAXPES簡介:

    傳統的XPS采用軟X射線作為激發源,通常為Al Kα(能量為1486.6eV)或者Mg Kα(能量為1253.6eV),其分析深度一般是10nm左右,對于更深范圍內的元素化學信息,通常只能借助離子刻蝕的方法來獲得,但其不利因素是會引起材料表面化學結構的改變。而HAXPES技術采用更高能量的硬X射線為激發源(如Cr Kα,能量為5414.9eV,或者同步輻射源)可以獲取數倍于常規XPS分析深度范圍內的化學信息(見圖1),大大減弱了來自表面污染層的干擾,同時通過檢測元素更接近芯能級的光電子信號可以對材料界面層進行無損剖析,這對于固體材料表/界面化學分析是一個非常重要的應用。

 

詳情見http://www.cfdxbyy.com/doclist.action?chnlid=3653

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